양쯔메모리 낸드에 이어 D램도 양산 예정

YMTC는 낸드에서 확보한 적층 기술을 D램으로 확장하고 있다. 2025년 10월부터 팹2에서 월 약 5000장 규모로 2세대 16Gb LPDDR5 D램을 연구개발하고 테스트하고 있다.

해당 제품의 데이터 전송 속도는 7500MT/s이며, 현재까지 하이케이메탈게이트(HKMG) 공정은 적용하지 않은 것으로 파악됐다.

후속 제품으로는 수직채널트랜지스터(VCT)와 4F² 셀 구조를 적용한 9600MT/s LPDDR5를 개발하고 있다.

해당 제품은 팹3에서 양산하는 방안이 추진되고 있다.

향후 품질 인증과 양산 전환 속도가 YMTC의 D램 사업 확장 가능성을 가늠할 주요 지표가 될 전망이다.

카운터포인트리서치의 닐 샤 리서치 부사장은 “장기적으로 3D D램이 결국 업계가 나아가야 할 방향이 될 것”이라며 “적층 웨이퍼 결합 기술력을 검증받은 YMTC가 이러한 전환에서 유리한 위치에 있다”고 분석했다.

YMTC의 기술 경쟁력은 메모리 셀 어레이와 주변 로직 회로를 별도 웨이퍼에 각각 제작한 뒤 결합하는 독자 기술 엑스태킹에 기반한다.

각 웨이퍼에 최적화된 공정을 개별적으로 적용할 수 있어 메모리 구조를 고도화하는 데 유리하다는 설명이다.

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