사견 : 

"삼성·SK하이닉스와 기술 격차 2~3년으로 좁혔다"… 中 창신메모리, HBM3E 양산 카운트다운

중국의 창신메모리(CXMT)가 고대역폭 메모리(HBM) 시장에서 글로벌 선도 기업들을 무서운 속도로 맹추격하고 있습니다. 11일(현지 시간) 콰이테크놀로지 보도에 따르면, 창신메모리는 최근 HBM3 샘플을 화웨이를 비롯한 자국 내 AI 반도체 기업들에 공급하기 시작했으며 현재 양산 전 최종 검증 단계를 거치고 있습니다.

회사는 이에 그치지 않고 2027년까지 '12단 HBM3E' 양산에 돌입하겠다는 공격적인 목표를 세웠습니다. 업계에서는 이 계획이 순조롭게 진행될 경우, 창신메모리와 글로벌 3대 메모리 제조사(삼성전자, SK하이닉스, 마이크론) 간의 기술 격차가 불과 2~3년 수준으로 크게 좁혀질 것으로 전망하고 있습니다.

단숨에 HBM3로 직행… "설계 수준은 이미 글로벌 선두와 동급" 주목할 만한 점은 창신메모리가 이전 세대를 거치지 않고 DDR4에서 HBM3 개발로 직행하는 이른바 '세대 건너뛰기(Leapfrogging)' 전략을 택해 기술 격차를 획기적으로 단축했다는 것입니다.

업계 소식통에 따르면, 창신메모리의 HBM3 아키텍처 설계 기준은 이미 삼성전자 및 SK하이닉스와 동등한 수준에 도달했습니다. 수세대 이상 벌어져 있던 한중 양국의 HBM 기술 격차가 단 3년 만에 좁혀진 셈입니다. 현재로서는 낮은 수율(결함 없는 합격품 비율)만이 양산의 유일한 제약 요소일 뿐, 기술 아키텍처 자체의 세대 차이는 극복한 것으로 평가받고 있습니다.

공격적인 생산 능력(CAPA) 확대 및 점유율 상승 기술 개발과 함께 대규모 증설도 동시에 추진 중입니다. 창신메모리는 현재 허페이에 12인치 DRAM 공장 2곳, 베이징에 1곳을 운영하며 월 30만 장(웨이퍼 기준) 규모의 생산 능력을 갖추고 있습니다. 회사는 전체 DRAM 생산 능력의 약 20%를 HBM 제조에 할당하여 월 6만 장 규모의 HBM 웨이퍼를 생산할 계획입니다.

여기에 2027년 상하이 신공장이 본격 가동되면, 전체 생산 능력은 현재의 두 배 이상으로 껑충 뛸 전망입니다.

이러한 공격적인 투자에 힘입어 창신메모리의 시장 지배력도 빠르게 확대되고 있습니다. CFM(China Flash Market) 데이터에 따르면, 2026년 1분기 창신메모리의 DRAM 매출은 전 분기 대비 115.1% 급증한 73억 900만 달러를 기록했습니다. 글로벌 시장 점유율은 7.7%로 상승하며 단숨에 세계 4위 자리를 꿰찼습니다.

https://news.mydrivers.com/1/1135/1135747.htm